买卖IC网 >> 产品目录43544 >> STW54NM65ND MOSFET N-CH 650V 59A TO-247 datasheet 分离式半导体产品
型号:

STW54NM65ND

库存数量:595
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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标准包装 30
系列 FDmesh™ II
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 49A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 24.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 188nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6200pF @ 50V
功率 - 最大 350W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
其它名称 497-12370
相关资料
供应商
  • STW54NM65ND 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 22.176 22.176
    10 20.16 201.6
    100 17.136 1713.6
    250 15.624 3906
    500 14.616 7308
    1,000 13.4064 13406.4
    2,500 12.9024 32256
    5,000 12.4992 62496
    10,000 12.096 120960